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    • 专利摘要:
    本發明提供一種可防止排氣效率降低之粒子捕集單元。構成曝露在粒子飛來空間的粒子捕集單元之第1捕集單元係具備有複數第1不鏽鋼所構成的第1網狀層，與複數第2不鏽鋼所構成的第2網狀層，第1不鏽鋼的粗細係小於第2不鏽鋼的粗細，第1網狀層中之第1不鏽鋼的配置密度係高於第2網狀層中之第2不鏽鋼的配置密度，第2網狀層係介設於第1網狀層及粒子飛來的空間之間，第1網狀層及第2網狀層係藉由燒結而燒固且相互接合。
    公开号:TW201303164A
    申请号:TW101109985
    申请日:2012-03-23
    公开日:2013-01-16
    发明作者:Tsuyoshi Moriya；Syunsuke Toyoizumi；Katsuyuki Takahiro
    申请人:Tokyo Electron Ltd；
    IPC主号:F04B37-00
    专利说明:
    粒子捕集單元、該粒子捕集單元之製造方法及基板處理裝置
    本發明關於一種捕集在基板處理裝置內移動之不需要的粒子之粒子捕集單元、該粒子捕集單元之製造方法及基板處理裝置。
    通常，對用以製造半導體元件用晶圓，或液晶等FPD面板、太陽電池等之玻璃基板等基板施予特定處理之基板處理裝置係具備有收容基板而施予特定處理之處理室(以下稱作「腔室」)。該腔室內會有腔室內壁的沉積物或在特定處理中產生的反應生成物所引起之粒子飄浮。若該等飄浮中的粒子附著在晶圓表面，則由該晶圓所製造的產品(例如半導體元件)便會發生配線短路，而導致半導體元件的良率降低。是以，便進行利用基板處理裝置的排氣系統來將腔室內的粒子連同腔室內氣體的排氣一起從腔室內去除。
    基板處理裝置的排氣系統係具有透過腔室與排氣板而連通之排氣室(分歧管)、可實現高真空之排氣幫浦(渦輪分子幫浦(Turbo Molecular Pump)，以下稱作「TMP」))、以及連通該TMP及分歧管之連通管。TMP係具有沿著排氣流所配置之旋轉軸，與從該旋轉軸直角地突出之複數葉片狀旋轉翼，藉由旋轉翼會以旋轉軸為中心而高速旋轉，便可以高速來將吸氣後的氣體排氣。排氣系統係藉由使TMP作動來將腔室內的粒子連同腔室內的氣體一起排出。
    然而，會有附著在TMP的旋轉翼之沉積物剝離，或被TMP吸氣後的氣體所包含之粒子或經由連通管而流入至TMP之分歧管內的殘渣物與TMP的旋轉翼衝撞而反彈之情況。從旋轉翼剝離的沉積物或與旋轉翼衝撞而反彈之粒子由於皆為因高速旋轉的旋轉翼而被賦予大的動能，因此便會在連通管內逆流而進入至腔室內。
    本案發明人等為了對應於上述粒子的逆流而開發出一種使得從TMP反彈而來的粒子朝向該TMP反射之反射裝置或捕集該粒子之捕集機構(例如參照專利文獻1)。該專利文獻1之反射裝置或捕集機構可使反彈而來之粒子的大部分再次朝向TMP反射或予以捕集。
    專利文獻1：日本特開2007-180467號公報
    然而，上述專利文獻1的反射裝置由於係配置為將排氣管內遮蔽，因此會使排氣流道的傳導率降低而導致排氣效率降低。又，專利文獻1的捕集機構雖係沿著排氣管的內面所配置，但為了捕集進入至該捕集機構的粒子，則必須使進入後的粒子與捕集機構的結構材料反覆衝撞來使其喪失動能，且必須要有所需之特定厚度，結果，由於捕集機構會迫出至排氣管內，因此仍會使得排氣流道的傳導率降低而導致排氣效率降低。若排氣效率降低，則腔室的真空抽氣便需花費更多時間，而產生基板處理裝置的稼動率降低等問題。
    又，上述專利文獻1中雖揭示了使用纖維構成的綿狀體來作為捕集機構的結構材料，但纖維會容易從綿狀體掉落，若該掉落之纖維的一部分落下至TMP的情況，便亦有可能發生該TMP的旋轉翼等受到損傷之問題。
    本發明之目的在於提供一種可防止排氣效率降低，且防止排氣幫浦的旋轉翼等受到損傷之粒子捕集單元、該粒子捕集單元之製造方法及基板處理裝置。
    為達成上述目的，申請專利範圍第1項之粒子捕集單元係曝露在粒子飛來的空間之粒子捕集單元，其特徵為：至少具備有複數第1纖維狀物所構成的第1層，與複數第2纖維狀物所構成的第2層；該第1纖維狀物的粗細係小於該第2纖維狀物的粗細，該第1層中之該第1纖維狀物的配置密度係高於該第2層中之第2纖維狀物的配置密度；該第2層係介設於該第1層及該粒子飛來的空間之間；該第1層及該第2層係藉由燒結而燒固且相互接合。
    申請專利範圍第2項之粒子捕集單元係如申請專利範圍第1項之粒子捕集單元，其中該第1纖維狀物的粗細為直徑0.2μm至3μm，該第2纖維狀物的粗細為直徑3μm至30μm。
    申請專利範圍第3項之粒子捕集單元係如申請專利範圍第1或2項之粒子捕集單元，其另具備有粗細大於該第2纖維狀物的粗細之第3纖維狀物所構成的第3層，該第3層係配置為介隔著該第1層而與該第2層呈對向。
    申請專利範圍第4項之粒子捕集單元係如申請專利範圍第3項之粒子捕集單元，其中該第3纖維狀物的粗細為直徑30μm至400μm。
    申請專利範圍第5項之粒子捕集單元係如申請專利範圍第3或4項之粒子捕集單元，其另具備有其他的該第3層，該其他的該第3層係介設於該第2層及該粒子飛來的空間之間。
    申請專利範圍第6項之粒子捕集單元係如申請專利範圍第1至5項中任一項之粒子捕集單元，其中該第1纖維狀物及該第2纖維狀物係由不鏽鋼所構成。
    為達成上述目的，申請專利範圍第7項之粒子捕集單元的製造方法係曝露在粒子飛來的空間之粒子捕集單元的製造方法，其特徵為具有以下步驟：層形成步驟，係形成複數第1纖維狀物所構成的第1層及複數第2纖維狀物所構成的第2層；成形步驟，係重疊該第1層及該第2層，並將該重疊後的第1層及第2層如同該第2層會介設於該第1層及該粒子飛來的空間之間般地成形為所欲形狀；以及燒結步驟，係將該第1層及該第2層藉由燒結而燒固且相互接合；其中該第1纖維狀物的粗細係小於該第2纖維狀物的粗細，該第1層中之該第1纖維狀物的配置密度係高於該第2層中之第2纖維狀物的配置密度。
    為達成上述目的，申請專利範圍第8項之基板處理裝置係具備有對基板施予特定處理之處理室、具有高速旋轉的旋轉翼來排出處理室內氣體之排氣幫浦、以及連通該處理室及該排氣幫浦之排氣系統，其特徵為：另具備有曝露在排氣系統內的空間之粒子捕集單元；該粒子捕集單元係至少具有複數第1纖維狀物所構成的第1層，與複數第2纖維狀物所構成的第2層；該第1纖維狀物的粗細係小於該第2纖維狀物的粗細，該第1層中之該第1纖維狀物的配置密度係高於該第2層中之第2纖維狀物的配置密度；該第2層係介設於該第1層及該排氣系統內的空間之間；該第1層及該第2層係藉由燒結而燒固且相互接合。
    申請專利範圍第9項之基板處理裝置係如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中該排氣系統係具有排氣管；該粒子捕集單元係具有沿著該排氣管的內周面所配置之圓筒部分，與較該排氣幫浦而配置在關於排氣的上游處，且覆蓋該旋轉軸般而配置在該排氣幫浦中之該旋轉翼的旋轉軸的延長線上之板狀部分。
    申請專利範圍第10項之基板處理裝置係如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中該粒子捕集單元另具有從該圓筒部分朝向該排氣管內側突出之複數突出部分。
    依據本發明，由於係至少具備有複數第1纖維狀物所構成的第1層，與複數第2纖維狀物所構成的第2層，並且，構成第1層之第1纖維狀物的粗細係小於構成第2層之第2纖維狀物的粗細，第1層中之第1纖維狀物的配置密度係高於第2層中之第2纖維狀物的配置密度，因此第1層便會捕集進入至粒子捕集單元而通過第2層之粒子。又，由於第2層係介設於第1層及粒子飛來的空間之間，因此在第1層反射的粒子便會與第2層中的第2纖維狀物衝撞且在喪失動能後再反彈至第1層，故不會有粒子從粒子捕集單元飛出至空間。其結果，便可在不增加粒子捕集單元的厚度情況下來確實地捕集進入至粒子捕集單元之粒子。
    再者，由於第1層及第2層係藉由燒結而燒固且相互接合，因此粒子捕集單元便會具有高硬度。於是，由於不需設置用以支撐粒子捕集單元之框體，因此可防止粒子捕集單元迫出至空間。其結果，粒子捕集單元便可防止排氣效率降低。
    又，依據本發明，由於第1層及第2層係藉由燒結而燒固且相互接合，因此構成第1層之第1纖維狀物的一部分或構成第2層之第2纖維狀物的一部分便不會掉落。其結果，由於掉落後之纖維狀物的一部分不會與排氣幫浦的旋轉翼衝撞、反彈，因此可確實地防止異物進入至處理室內，從而可防止排氣幫浦的旋轉翼等受到損傷。
    以下，針對本發明之實施型態參照圖式來加以說明。
    圖1係概略顯示使用本實施型態粒子捕集單元之基板處理裝置的結構之剖視圖。
    圖1中，構成為對半導體晶圓(以下簡稱作「晶圓」)W施予反應性離子蝕刻(Reactive Ion Etching，以下稱作「RIE」)處理的蝕刻處理裝置之基板處理裝置10係由金屬(例如鋁或不鏽鋼)所構成，且具備有呈現大小2個圓筒相重疊的形狀之腔室11(處理室)。
    該腔室11內係配置有載置晶圓W，且連同該所載置之晶圓W一起在腔室11內上下升降而作為晶圓台座之下部電極12，與覆蓋上下升降之下部電極12的側部之圓筒狀蓋體13。
    下部電極12的側部係配置有從下部電極12上方的空間(處理空間S)區隔出排氣室(以下稱為「分歧管」)14之環狀排氣板15，分歧管14係透過連通管16及可變式滑動閥(自動壓力控制閥(Automatic Pressure Control)，以下稱為「APC」)閥17而連通至真空抽氣用排氣幫浦(TMP18)。TMP18係將腔室11內減壓至接近真空狀態，APC閥17係在腔室11內的減壓之際控制腔室11內的壓力。排氣板15係具有連通處理空間S與分歧管14之複數槽縫狀或圓孔狀的通氣孔。在基板處理裝置10中，分歧管14、連通管16及APC閥17係構成排氣系統。
    下部電極12係透過下部匹配器20而連接有下部高頻電源19，下部高頻電源19會對下部電極12施加特定高頻電功率。又，下部匹配器20會降低來自下部電極12之高頻電功率的反射，來使該高頻電功率對下部電極12的供應效率為最大。
    下部電極12的上方係配置有以靜電吸附力來吸附晶圓W之ESC21。內建於ESC21之電極板(未圖示)係電連接有直流電源(未圖示)。ESC21係藉由從直流電源對電極板施加直流電壓而產生的庫倫力或強生-拉貝克力(Johnsen-Rahbek)力，來將晶圓W吸附保持在其上面。又，ESC21的周緣係配置有矽(Si)等所構成的圓環狀聚焦環22，該聚焦環22的周圍係受到環狀覆蓋環23的覆蓋。
    下部電極12的下方係配置有從該下部電極12的下部朝下方延伸設置之支撐體24。該支撐體24係支撐下部電極12，且使下部電極12升降。又，支撐體24係藉由波紋管(bellows)25來將周圍覆蓋，而自腔室11內或分歧管14內的氛圍被阻隔。
    於該基板處理裝置10中，當進行晶圓W對腔室11內的搬出入之情況，會使下部電極12下降至晶圓W的搬出入位置，而當對晶圓W施予RIE處理之情況，則會使下部電極12上升至晶圓W的處理位置。
    腔室11的頂部係配置有將後述處理氣體供應至腔室11內之淋氣頭26。淋氣頭26係具備具有面向處理空間S的多個氣體通氣孔27之圓板狀上部電極28，與配置在該上部電極28上方且可裝卸地支撐上部電極28之電極支撐體29。
    上部電極28係透過上部匹配器31而連接有上部高頻電源30，上部高頻電源30會將特定的高頻電功率施加在上部電極28。又，上部匹配器31會降低來自上部電極28之高頻電功率的反射，來使該高頻電功率對上部電極28的供應效率為最大。
    電極支撐體29的內部係設置有暫存室32，該暫存室32係連接有處理氣體導入管33，處理氣體導入管33的中途係配置有閥34。暫存室32係從處理氣體導入管33導入有例如單獨的四氟化碳(CF4)，或CF4與氬氣(Ar)、氧氣(O2)、四氟化矽(SiF4)的組合等所構成之處理氣體，該所導入的處理氣體係經由氣體通氣孔27而被供應至處理空間S。
    該基板處理裝置10的腔室11內如上所述，係對下部電極12及上部電極28施加高頻電功率，並藉由該所施加之高頻電功率而在處理空間S中從處理氣體產生高密度的電漿，來生成離子或自由基。該等所生成之自由基或離子會將被吸附保持在下部電極12的上面之晶圓W表面物理性或化學性地蝕刻。
    圖2為圖1之基板處理裝置中的APC閥及TMP附近之擴大剖視圖，圖3係概略顯示本實施型態之粒子捕集單元的結構之立體圖。
    圖2中，TMP18係具備有沿著圖中的上下方向(即排氣流的方向)所配置之旋轉軸35、收容該旋轉軸35般而與旋轉軸35平行地配置之圓筒體36、從旋轉軸35垂直地突出之複數葉片狀旋轉翼37、以及從圓筒體36的內周面朝向旋轉軸35突出之複數葉片狀靜止翼38。
    複數旋轉翼37係從旋轉軸35放射狀地突出而形成旋轉翼群，複數靜止翼38係等間隔地配置在圓筒體36內周面的相同圓周上，且朝向旋轉軸35突出而形成靜止翼群。TMP18係存在有複數旋轉翼群與靜止翼群，各旋轉翼群係沿著旋轉軸35等間隔地配置，各靜止翼群則係配置在鄰接之2個旋轉翼群之間。
    一般來說，TMP18中最上方的旋轉翼群係較最上方的靜止翼群要靠圖中上方處。亦即，最上方的旋轉翼群係較最上方的靜止翼群要配置在靠連通管16的附近。TMP18係藉由使旋轉翼37繞著旋轉軸35高速旋轉，來將氣體從連通管16高速排氣至TMP18的下側。
    又，APC閥17及TMP18之間係設置有相對較短的圓筒狀排氣管39，該排氣管39係連通APC閥17及TMP18，且於內部具有粒子捕集單元40(粒子捕集單元)。
    圖2及圖3中，粒子捕集單元40係具有沿著排氣管39的內周面所配置之圓筒狀第1捕集單元40a(圓筒部分)，與配置在TMP18之旋轉軸35的延長線上，從俯視觀看時(沿著圖2中的白色箭頭觀看時)，如同覆蓋旋轉軸35般所配置之圓板狀第2捕集單元40b(板狀部分)。第2捕集單元40b係藉由有頭螺釘(cap screw)42而被安裝在如同橫切排氣管39內般所配置之棒狀撐桿(stay)41。第1捕集單元40a及第2捕集單元40b係分別由3層構造的網狀組件43(後述)所構成，來絆住並捕集進入的粒子P。
    具體來說，當流入至TMP18之粒子P與高速旋轉中的旋轉翼37衝撞時，雖會被賦予旋轉翼37之旋轉之切線方向的動能而朝向排氣管39的內周面反彈，但由於第1捕集單元40a係沿著排氣管39的內周面配置，因此反彈後的粒子P便會進入至第1捕集單元40a，該第1捕集單元40a會將進入後的粒子P絆住並捕集。
    又，朝向TMP18的旋轉軸35流入之粒子(未圖示)雖會附著在TMP18周圍成為沉積物，而成為從TMP18朝向排氣管39等逆流之粒子的產生原因，但由於第2捕集單元40b係較TMP18而被配置在關於排氣的上游處，因此該第2捕集單元40b便會絆住並捕集朝向TMP18的旋轉軸35流入之粒子。
    此外，本實施型態中，雖已藉由有頭螺釘42來將第2捕集單元40b固定在撐桿41，但用以將第2捕集單元40b固定在撐桿41之機構不限於此，只要是接著劑等之可固定的機構則亦可為其他機構，又，撐桿41在本實施型態中雖亦係由棒狀的組件所構成的，但撐桿的型態不限於此，只要是可將網狀的組件等之第2捕集單元40b保持在空間的組件，則亦可為其他型態。
    圖4係概略顯示構成圖3中的第1捕集單元及第2捕集單元之網狀組件的構造之擴大剖視圖。
    圖4中，網狀組件43係具有粗細為直徑0.2μm至3μm的纖維狀第1不鏽鋼44a所編織形成的第1網狀層44(第1層)、粗細為直徑3μm至30μm的纖維狀第2不鏽鋼45a所編織形成的第2網狀層45(第2層)、以及粗細為直徑30μm至400μm的纖維狀第3不鏽鋼46a所編織形成的第3網狀層46(第3層)。
    第1網狀層44中第1不鏽鋼44a係至少重疊二層，第2網狀層45中第2不鏽鋼45a係至少重疊二層，第3網狀層46中第3不鏽鋼46a係至少重疊二層。圖中，從下方係依序層積有第2網狀層45、第1網狀層44及第3網狀層46，而網狀組件43整體的厚度則控制在1mm以下。
    在第1捕集單元40a中，由於網狀組件43係配置為第2網狀層45會介設在第1網狀層44及排氣管39的內部空間(即粒子P(粒子)飛來的空間(以下稱為「粒子飛來空間」))之間，因此第2網狀層45便會曝露在粒子飛來空間。由於第3網狀層46係配置為介隔著第1網狀層44而與第2網狀層45呈對向，因此第3網狀層46便會與排氣管39的內周面相接觸，而未曝露在粒子飛來空間。
    又，在第2捕集單元40b中，網狀組件43係配置為第2網狀層45會與含有流經排氣管39的粒子P之排氣流呈對向且曝露在該排氣流。第3網狀層46由於係配置為介隔著第1網狀層44而與第2網狀層45呈對向，因此第3網狀層46便會與撐桿41相接觸。此時，第2捕集單元40b由於係使用網狀組件，且厚度薄至1mm以下，因此可抑制排氣管39的排氣傳導率降低。
    第1捕集單元40a或第2捕集單元40b的網狀組件43中，由於第2網狀層45係曝露在粒子飛來空間或排氣流，因此粒子P首先便會進入至第2網狀層45。進入後的粒子P有一些會在第2網狀層45處嵌入至第2不鏽鋼45a所構成之編織格紋的開口部(間隙)而被捕集，但由於第2網狀層45中之第2不鏽鋼45a的粗細較粗，使得第2網狀層45所產生的間隙較大，因此粒子P的一部分便會通過第2網狀層45而到達第1網狀層44。
    由於第1網狀層44中之第1不鏽鋼44a的粗細較細，因此第1網狀層44只會產生小的間隙，使得到達第1網狀層44的粒子P無法通過該第1網狀層44，而是停留在第1網狀層44，且在第1網狀層44處嵌入至第1不鏽鋼44a所構成之編織格紋的開口部(間隙)而被捕集。
    又，到達第1網狀層44的粒子P當中的幾個粒子P雖不會嵌入至第1網狀層44的間隙，而是被第1不鏽鋼44a反射而欲返回粒子飛來空間，但由於第1網狀層44及粒子飛來空間之間係介設有第2網狀層45，因此反射後的粒子P便會被第2網狀層45捕集，或是與第2網狀層45的第2不鏽鋼45a衝撞而失去動能後再反彈回第1網狀層44。由於該反彈後的粒子P動能較小，因此在到達第1網狀層44後，便不會從該第1網狀層44反射，而是會停留在第1網狀層44。
    於是，進入至網狀組件43之粒子P便不會再次從網狀組件43回到粒子飛來空間，網狀組件43可確實地捕集進入後的粒子P。
    又，由於構成第3網狀層46之第3不鏽鋼46a的粗細係大於構成第1網狀層44之第1不鏽鋼44a的粗細或構成第2網狀層45之第2不鏽鋼45a的粗細，且第3網狀層46係構成網狀組件43的一部分，因此第3網狀層46便會有助於網狀組件43的硬度提升，從而可防止1捕集單元40a或第2捕集單元40b的變形導致粒子捕集效率降低。
    接下來，說明本實施型態之粒子捕集單元的製造方法。
    圖5為本實施型態之粒子捕集單元中之第1捕集單元的製造方法之步驟圖。
    圖5中，首先係編織複數第1不鏽鋼44a而形成帶狀的第1網狀層44，編織複數第2不鏽鋼45a而形成帶狀的第2網狀層45，編織複數第3不鏽鋼而形成帶狀的第3網狀層46(圖5(A))(層形成步驟)。
    接著，將帶狀第1網狀層44、帶狀第2網狀層45以及帶狀第3網狀層46裁切成大致相同長度，將第1網狀層44重疊在第3網狀層46，再將第2網狀層45重疊在該第1網狀層44而形成網狀組件43，並使該網狀組件43成形為圓筒狀。此時，將由該網狀組件43所製造的第1捕集單元40a配置在排氣管39時，係使第2網狀層45位在圓筒形狀的最內周側，來使第2網狀層45曝露在粒子飛來空間(圖5(B))(成形步驟)。
    接著，藉由燒結來將成形為圓筒狀之網狀組件43燒固且相互接合，而製造第1捕集單元40a，便結束本處理(圖5(C))。
    此外，第2捕集單元40b除了非為帶狀而是裁切成圓形，以及並非成形為圓筒狀以外，亦係依據圖5的製造方法所製造。
    依據本實施型態之粒子捕集單元40，構成第1捕集單元40a及第2捕集單元40b之網狀組件43由於係具備有複數第1不鏽鋼44a所構成的第1網狀層44，與複數第2不鏽鋼45a所構成的第2網狀層45，第1不鏽鋼44a的粗細係小於第2不鏽鋼45a的粗細，第1網狀層44中之第1不鏽鋼44a的配置密度係高於第2網狀層45中之第2不鏽鋼45a的配置密度，因此第1網狀層44便會捕集進入至網狀組件43且通過第2網狀層45的粒子P。
    又，由於第2網狀層45係介設於第1網狀層44及粒子飛來空間之間，故通過第2網狀層45而在第1網狀層44處反射的粒子P便會與第2網狀層45中之第2不鏽鋼45a衝撞而喪失動能後再反彈回第1網狀層44，因此粒子P便不會從網狀組件43飛出至空間。
    其結果，便不須增加網狀組件43的厚度，例如即便是將網狀組件43的厚度設定為1mm以下，仍可確實地捕集進入至網狀組件43之粒子P。
    再者，在粒子捕集單元40的第1捕集單元40a或第2捕集單元40b中，由於第3網狀層46、第1網狀層44及第2網狀層45係藉由燒結而燒固成形且相互接合，因此第1捕集單元40a或第2捕集單元40b便會具有高硬度。於是，由於不需設置支撐第1捕集單元40a或第2捕集單元40b之框架，故可防止粒子捕集單元40超出至空間。其結果，粒子捕集單元40可防止排氣效率的降低。
    又，由於網狀組件43係受到燒結，因此構成第1網狀層44之第1不鏽鋼44a的一部分，構成第2網狀層45之第2不鏽鋼45a的一部分或構成第3網狀層46之第3不鏽鋼46a的一部分便不會掉落。其結果，由於不會有掉落後之不鏽鋼的一部分與TMP18的旋轉翼37衝撞而反彈的情事，因此可確實地防止異物進入至處理室內，從而可防止TMP18的旋轉翼37等受到損傷。
    再者，第1捕集單元40a或第2捕集單元40b由於係使得網狀組件43變形為所欲形狀後，藉由燒結來將第3網狀層46、第1網狀層44及第2網狀層45燒固，因此可容易地實現所欲形狀。
    再者，由於第1網狀層44、第2網狀層45及第3網狀層46係由不鏽鋼所構成，因此可容許某種程度的延伸或歪斜。於是，在燒結前使得網狀組件43變形為所欲形狀時，便可抑制第1網狀層44、第2網狀層45及第3網狀層46的一部分斷裂，從而可容易地製造粒子捕集單元40。
    以上，雖已使用上述實施型態來加以說明本發明，但本發明並未限定於上述實施型態。
    例如圖6所示，在粒子捕集單元40中，亦可設置有由網狀組件43所構成，且從第1捕集單元40a朝向排氣管39的內側而沿著第1捕集單元40a的半徑方向突出之複數板狀突出部分40c。由於各突出部分40c會阻礙被賦予旋轉翼37之旋轉之切線方向的動能之粒子P的行進，因此便可更加提高來自旋轉翼37反彈之粒子P的捕集效率。此外，由於各突出部分40c不須延伸至排氣管39的中心，因此從第1捕集單元40a的突出量便可依據粒子P的產生量或旋轉翼37的旋轉速度等來改變。
    網狀組件43不需一定要具備有第3網狀層46，而只要具備有至少第1網狀層44及第2網狀層45，來使第2網狀層45曝露在粒子飛來空間即可。又，構成網狀組件43之層的數量亦不限於3層，而亦可例如圖7所示般地，在第2網狀層45及粒子飛來空間之間介設有其他的第3網狀層46。藉此，便可更加提高第1捕集單元40a或第2捕集單元40b的硬度。
    再者，即便是以2個第2網狀層45來將第1網狀層44挾置其中的構造亦可，藉此，不僅是單方向，而亦可捕集從雙方向飛來的粒子。此情況下，亦可將作為補強材料之第3網狀層46設置於第1網狀層44及2個第2網狀層45所構成之層積構造的單邊側，抑或是設置於上述層積構造兩側來將該層積構造挾置其中。
    又，構成第1網狀層44、第2網狀層45或第3網狀層46之纖維狀物不僅上述不鏽鋼，而亦可使用其他可燒結的金屬，甚且，亦可使用樊土等陶瓷。
    網狀組件43所構成的粒子捕集單元在基板處理裝置10中，不僅排氣管39，只要是構成排氣系統之構成要素(例如分歧管14、連通管16及APC閥17，或TMP18)中之會曝露在排氣流的部位，則可配置在任何部位，再者，可對應於配置地點來改變粒子捕集單元的形狀或結構。本實施型態中，雖已針對適用於蝕刻處理裝置之情況加以說明，但適用的裝置不限於此，而亦可適用於CVD裝置或灰化裝置等進行其他處理的基板處理裝置。
    又，不僅基板處理裝置10，只要是大致在減壓空間具有粒子飛來的部位之裝置，則可適用於該裝置。例如圖8所示，亦可在區隔基板處理裝置的處理室47及搬送室(轉移腔室)48之閘閥49的附近，將粒子捕集單元50沿著轉移腔室48的內壁面配置。
    P‧‧‧粒子
    W‧‧‧晶圓
    11‧‧‧腔室
    18‧‧‧TMP
    37‧‧‧旋轉翼
    39‧‧‧排氣管
    40,50‧‧‧粒子捕集單元
    40a‧‧‧第1捕集單元
    40b‧‧‧第2捕集單元
    40c‧‧‧突出部分
    41‧‧‧撐桿
    42‧‧‧有頭螺釘
    43‧‧‧網狀組件
    44‧‧‧第1網狀層
    44a‧‧‧第1不鏽鋼
    45‧‧‧第2網狀層
    45a‧‧‧第2不鏽鋼
    46‧‧‧第3網狀層
    46a‧‧‧第3不鏽鋼
    圖1係概略顯示使用本發明實施型態之粒子捕集單元的基板處理裝置結構之剖視圖。
    圖2為圖1之基板處理裝置中的APC閥及TMP附近之擴大剖視圖。
    圖3係概略顯示本實施型態之粒子捕集單元的結構之立體圖。
    圖4係概略顯示構成圖3中的第1捕集單元及第2捕集單元之網狀組件的構造之擴大剖視圖。
    圖5為本實施型態之粒子捕集單元中之第1捕集單元的製造方法之步驟圖。
    圖6係概略顯示作為本實施型態之粒子捕集單元的變形例結構之立體圖。
    圖7係概略顯示網狀組件的變形例的構造之擴大剖視圖。
    圖8係概略顯示使用粒子捕集單元之裝置的變形例之部分剖視圖。
    P‧‧‧粒子
    40‧‧‧粒子捕集單元
    40a‧‧‧第1捕集單元
    40b‧‧‧第2捕集單元
    41‧‧‧撐桿
    42‧‧‧有頭螺釘
    权利要求:
    Claims (10)
    [1] 一種粒子捕集單元，係曝露在粒子飛來的空間之粒子捕集單元，其特徵為：至少具備有複數第1纖維狀物所構成的第1層，與複數第2纖維狀物所構成的第2層；該第1纖維狀物的粗細係小於該第2纖維狀物的粗細，該第1層中之該第1纖維狀物的配置密度係高於該第2層中之第2纖維狀物的配置密度；該第2層係介設於該第1層及該粒子飛來的空間之間；該第1層及該第2層係藉由燒結而燒固且相互接合。
    [2] 如申請專利範圍第1項之粒子捕集單元，其中該第1纖維狀物的粗細為直徑0.2μm至3μm，該第2纖維狀物的粗細為直徑3μm至30μm。
    [3] 如申請專利範圍第1或2項之粒子捕集單元，其另具備有粗細大於該第2纖維狀物的粗細之第3纖維狀物所構成的第3層，該第3層係配置為介隔著該第1層而與該第2層呈對向。
    [4] 如申請專利範圍第3項之粒子捕集單元，其中該第3纖維狀物的粗細為直徑30μm至400μm。
    [5] 如申請專利範圍第3項之粒子捕集單元，其另具備有其他的該第3層，該其他的該第3層係介設於該第2層及該粒子飛來的空間之間。
    [6] 如申請專利範圍第1或2項之粒子捕集單元，其中該第1纖維狀物及該第2纖維狀物係由不鏽鋼所構成。
    [7] 一種粒子捕集單元的製造方法，係曝露在粒子飛來的空間之粒子捕集單元的製造方法，其特徵為具有以下步驟：層形成步驟，係形成複數第1纖維狀物所構成的第1層及複數第2纖維狀物所構成的第2層；成形步驟，係重疊該第1層及該第2層，並將該重疊後的第1層及第2層如同該第2層會介設於該第1層及該粒子飛來的空間之間般地成形為所欲形狀；以及燒結步驟，係將該第1層及該第2層藉由燒結而燒固且相互接合；其中該第1纖維狀物的粗細係小於該第2纖維狀物的粗細，該第1層中之該第1纖維狀物的配置密度係高於該第2層中之第2纖維狀物的配置密度。
    [8] 一種基板處理裝置，係具備有對基板施予特定處理之處理室、具有高速旋轉的旋轉翼來排出處理室內氣體之排氣幫浦、以及連通該處理室及該排氣幫浦之排氣系統，其特徵為：另具備有曝露在排氣系統內的空間之粒子捕集單元；該粒子捕集單元係至少具有複數第1纖維狀物所構成的第1層，與複數第2纖維狀物所構成的第2層；該第1纖維狀物的粗細係小於該第2纖維狀物的粗細，該第1層中之該第1纖維狀物的配置密度係高於該第2層中之第2纖維狀物的配置密度；該第2層係介設於該第1層及該排氣系統內的空間之間；該第1層及該第2層係藉由燒結而燒固且相互接合。
    [9] 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中該排氣系統係具有排氣管；該粒子捕集單元係具有沿著該排氣管的內周面所配置之圓筒部分，與較該排氣幫浦而配置在關於排氣的上游處，且覆蓋該旋轉軸般而配置在該排氣幫浦中之該旋轉翼的旋轉軸的延長線上之板狀部分。
    [10] 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中該粒子捕集單元另具有從該圓筒部分朝向該排氣管內側突出之複數突出部分。
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